Memoria del tipo PCM (Phase-Change Memory o "Memoria de Cambio de Fase" por sus siglas en inglés) es algo que por años les he hablado acá en eliax, pero por fin IBM la acaba de llevar a un nivel que no solo iguala sino que supera a las memorias actuales Flash del tipo NAND.

Estas memorias Flash son las utilizadas en dispositivos como memorias USB, almacenamiento de datos en celulares, o en dispositivos como el iPad, en donde el disco duro tradicional se reemplaza por un SSD (Disco en Estado Sólido) que al fin y al cabo no es más que un conjunto de chips de memoria Flash trabajando en conjunto.

Memorias Flash son bastante útiles ya que son muchísimo más rápidas que discos duros tradicionales y a la misma vez no sufre de pérdida de datos al perder energía eléctrica como lo hacen las tradicionales memoria "RAM" (o DRAM) de una PC tradicional.

Sin embargo, memorias Flash sufren de un par de serios problemas. El primero es que tienen un ciclo de vida bastante limitado, en donde la misma localización de memoria solo puede ser escrita entre unas 5,000 a 10,000 veces (en su versión empresarial pero más cara, es posible llegar a 100,000 ciclos de escritura), lo que significa que si modificas mucho los datos en tal memoria, llega un momento en donde esta no te permite hacer más modificaciones (debido a que el corrector automático de errores de datos detecta demasiados errores en ese momento).

El segundo problema es que las memorias flash deben ser borradas antes de ser escritas. Es decir, si queremos almacenar una canción mp3 en la memoria de un iPod, primero hay que borrar todo el espacio equivalente a la canción antes de poder almacenar a esta. En la práctica esto no es tan malo como suena, ya que los datos se van borrando y escribiendo en tiempo real mientras se copia el archivo, pero aun así, hablamos de que la incapacidad de escribir directamente en la memoria hace que exista una gran penalidad en rendimiento en este tipo de memorias, penalidad que quizás no se note en un reproductor de música mp3 pero sí notaríamos cuando hacemos operaciones que requieran de mucho procesamiento de datos en la memoria de nuestro dispositivo.

Entonces, la noticia de hoy se trata de que IBM ha resuelto ambos de estos problemas.

El nuevo tipo de memoria PCM que ha desarrollo IBM no necesita del ciclo de borrar-escribir, sino que escribe directamente y de forma mucho más rápido que antes, permitiendo ahora un rendimiento de escritura 100 veces más rápido que tecnologías Flash actuales.

De paso, con la nueva tecnología es posible ahora sobre-escribir hasta 5 millones de veces la misma localización en la memoria, y como si fuera poco, IBM logró además una manera de almacenar hasta 2 bits de información (en vez de 1) en cada celda de almacenamiento (con miras a almacenar hasta 3 bits por celda). Esto permitirá ahora crear memorias PCM con densidad similar o superior a memorias Flash, lo que la trae en directa competencia con lo que hasta el momento era el punto fuerte de memorias Flash: Precio.

IBM sin embargo no planea fabricar estas memorias por sí misma, sino que planea licenciar su método de fabricación a terceros (una práctica bastante común en la industria de los semiconductores).

Pero al final del día, ¿cómo afecta esto a consumidores? Pues com equipos más baratos, más rápidos, y de mayor confiabilidad.

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autor: josé elías