En el futuro próximo ciertamente no nos faltarán opciones a la hora de tener tecnologías de almacenamiento que darán un gran salto sobre cualquier cosa que tenemos hoy día, incluso haciéndonos reír de lo que hoy día es 1GB o incluso 1TB...

Esta noticia viene apenas días de HP haber anunciado que en poco tiempo comercializará los Memristors, en un momento en donde existe una fuera investigación en almacenamiento a nivel atómico, computación molecular, o incluso en expandir tecnologías tradicionales de discos duros mas allá de los 10TB.

Esta vez sin embargo hablamos de algo que tendrá un gran impacto al corto plazo...

Se trata de un adelanto creado en Rice University en donde científicos han podido utilizar Silicio por primera vez para crear memorias no-volátiles, sencillas, super-densas y extremadamente baratas.

Por no-volátiles se quiere decir que el contenido no se borra en ausencia de electricidad, por lo que esto funcionaría no solo como memoria RAM, sino que además como memoria tipo Flash.

Es sencilla porque a diferencia de otros tipos de memorias que requieren de tres terminales (es decir, de 3 "alambres" saliendo de cada célula de memoria) esta requiere solo dos, lo que nos lleva también al próximo punto.

Es super-densa (es decir, que mas memoria se puede fabricar en el mismo espacio que ocupan otros tipos de memoria) no solo por su sencillez, pero sino además porque debido a que cada célula tiene solo dos terminales, se hace ahora mucho mas fácil crear memorias 3D (tridimensionales), en donde varias capas de memorias se ponen estilo sandwich una encima de la otra en el mismo chip.

Y es muy barato ya que la materia prima para esta técnica es el Silicio, que es otra forma de decir simplemente "arena", en vez de materiales exóticos.

El truco se ha podido gracias a la nanotecnología, en donde se ha podido fabricar unos circuitos super miniaturizados que pueden crear unos nano-cristales que cambian entre un estado y otro en el momento de aplicarles un voltaje.

Y he aquí otra gran ventaja de este tipo de memorias: Solo se le tiene que aplicar un voltaje cuando es necesario cambiar un bit (de 0 a 1, o de 1 a 0), a diferencia de otras memorias dinámicas que requieren o de constante "refresco" energético, o de un refrescado cada tantos milisegundos. En otras palabras, este tipo de memoria de paso consume muchísimo menos energía que muchos otros tipos de memorias en el mercado.

Según los investigadores que crearon esta maravilla moderna, con esta tecnología es posible hacer chips de memoria 5 veces mas densos que los chips de memorias mas densos con los cuales se están empezando a experimentar en el campo de memorias (cuyo límite actual llegan a los 20 nanómetros), y de paso es posible poner hasta 3 niveles de memorias en 3D en un solo chip (es decir, que hablamos de una densidad 15 veces mayor a lo mejor con lo que se está experimentando hoy día), y además agregan que la sencillez de la técnica permitirá hacer circuitos aun mas densos en el futuro.

De paso agregan que ya están experimentando con un prototipo de memoria de 1,000 elementos, lo que nos indica que esta tecnología está ya en una fase bastante avanzada y que posiblemente la veremos en el mercado en dos o tres años.

En otras palabras, en esta misma década que no les sorprenda cuando sus celulares inteligentes vengan con 1TB de memoria, cosa que era factible solo en las mas potentes super-computadoras de hace pocos años atrás...

Nota de Prensa oficial de Rice University

Fuente de la noticia

Actualización: Según este enlace proveído por el lector Shagai en los comentarios, esta tecnología de Rice University es también una implementación de Memristors, y competirán contra la implementación de HP. ¡Gracias Shagai por el enlace!

autor: josé elías